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CMXT2207 TR /NPN/PNP 350 mW 40 / 60 V SMT Dual Complementary Silicon Transistor - SOT-26
CMXT2207 TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN,PNP

电流-集电极(Ic)(最大值):600mA

电压-集射极击穿(最大值):40V,60V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA

电流-集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率-最大值:350mW

频率-跃迁:300MHz,200MHz

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-26

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商CMXT2207 TR
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